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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
94
左右 -236% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
28
读取速度,GB/s
1,882.0
17.6
写入速度,GB/s
1,165.4
14.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
3236
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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