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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
差异
规格
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.9
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3705
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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