RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3705
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link