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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
相違点
仕様
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
42
周辺 -62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.6
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
26
読み出し速度、GB/s
9.7
19.6
書き込み速度、GB/秒
6.0
15.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
3252
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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