RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3252
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link