RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2486
2581
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link