RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de -11% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2486
2581
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
AMD R948G2806U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link