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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
73
周辺 42% 低遅延
考慮すべき理由
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
73
読み出し速度、GB/s
9.7
14.7
書き込み速度、GB/秒
6.0
8.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
1712
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAMの比較
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB RAMの比較
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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