RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
73
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
73
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
1712
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link