RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
バグを報告する
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 42
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2900

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAMの比較

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
メモリRAM