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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
9.7
15.3
写入速度,GB/s
6.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2900
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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