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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 55
    周辺 24% 低遅延
Kingston XG9XKG-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2870

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAMの比較

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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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メモリRAM
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