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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
35
周辺 20% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
35
読み出し速度、GB/s
12.8
15.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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