RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
12.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
59
周辺 -103% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
29
読み出し速度、GB/s
4,833.8
17.0
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
12.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
3140
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM3B8G2H1866K10S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link