RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3140
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link