RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link