RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link