RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link