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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB 考慮すべき理由
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 42
    周辺 -35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2713

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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