RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2713
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link