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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
総合得点
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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考慮すべき理由
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
42
周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.6
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
27
読み出し速度、GB/s
10.6
19.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
16.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2150
3909
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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