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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 42
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2584

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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