RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2584
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link