RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
43
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2031
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link