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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
71
周辺 -103% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.8
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
35
読み出し速度、GB/s
2,831.6
20.8
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
14.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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