Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

総合得点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 14.5

テスト平均値

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 71

周辺 -92% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

11.4 1,322.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

71 37
読み出し速度、GB/s

2,831.6 14.5
書き込み速度、GB/秒

1,322.6 11.4
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

399 2847

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB