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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
71
周辺 -129% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
31
読み出し速度、GB/s
2,831.6
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
12.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2929
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
UMAX Technology 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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