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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
18.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
71
周辺 -154% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
28
読み出し速度、GB/s
2,831.6
18.4
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
14.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3525
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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