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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
71
周辺 -87% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
38
読み出し速度、GB/s
2,831.6
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
10.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2650
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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