RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
71
周辺 -154% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
28
読み出し速度、GB/s
2,831.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3299
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link