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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
71
周辺 -92% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
37
読み出し速度、GB/s
2,831.6
14.9
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2836
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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