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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
71
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
42
読み出し速度、GB/s
2,831.6
15.9
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
13.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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