RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
19.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
71
周辺 -137% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
30
読み出し速度、GB/s
2,831.6
19.3
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
15.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3701
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link