Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

総合得点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 18

テスト平均値

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 71

周辺 -154% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

15.2 1,322.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

71 28
読み出し速度、GB/s

2,831.6 18.0
書き込み速度、GB/秒

1,322.6 15.2
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

399 3660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB

G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB