RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905678-173.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 10.4
    テスト平均値
Kingston 9905678-173.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 71
    周辺 -87% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    4.7 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 4.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 1672

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
メモリRAM