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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
71
周辺 -238% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
21
読み出し速度、GB/s
2,831.6
16.2
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
7.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2337
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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