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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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考慮すべき理由
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
35
周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
30
読み出し速度、GB/s
13.7
18.8
書き込み速度、GB/秒
9.6
15.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
3649
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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