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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3306

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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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