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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
37
周辺 5% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
37
読み出し速度、GB/s
13.7
15.4
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
3075
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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