Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

総合得点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 35

周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.6 13.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.1 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 30
読み出し速度、GB/s

13.7 16.6
書き込み速度、GB/秒

9.6 13.1
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2312 3100

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

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