RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
46
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
46
読み出し速度、GB/s
13.7
11.6
書き込み速度、GB/秒
9.6
10.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
2469
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link