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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB 考慮すべき理由
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 35
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3438

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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