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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
49
周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
49
読み出し速度、GB/s
13.7
9.8
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
2277
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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