RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 48
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2431

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
メモリRAM