Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

総合得点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

9.6 9.3

テスト平均値

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 35

周辺 -40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.8 13.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 25
読み出し速度、GB/s

13.7 14.8
書き込み速度、GB/秒

9.6 9.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2312 2340

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

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