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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 8.9
    テスト平均値
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 35
    周辺 -21% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2284

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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