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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
56
周辺 38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.9
テスト平均値
考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.7
13.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
56
読み出し速度、GB/s
13.7
18.7
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
2235
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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