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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

総合得点
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 42
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 13.1
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 1,597.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    5,022.9 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,597.0 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    753 left arrow 2525

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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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メモリRAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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メモリRAM
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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