RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
42
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2525
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link