RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 17
    テスト平均値
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 39
    周辺 -70% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 1,597.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    5,022.9 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,597.0 left arrow 14.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    753 left arrow 3156

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較

A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM