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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3156
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
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