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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比較する
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
総合得点
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
59
周辺 34% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
1,597.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
59
読み出し速度、GB/s
5,022.9
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,597.0
7.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
753
1954
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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